P55單芯片高效能且穩定性強
P55單芯片系統-低功耗、高效能、穩定性強
(2020-02-04)河南鄭州科技市場IT產品配送網-鄭州電腦手機測評中心
采用P55芯片組的主板
在這12年里,串行總線如PCI-E、HT、QPI先后出現,推進了雙芯片向單芯片邁進的步伐。AMD首先把原來在北橋的內存控制器移出北橋,整合到CPU內,預示著北橋的另一半——圖形控制器也將移到CPU內,但是這一步英特爾走在了前面,先是X58芯片組把內存控制器移到Core i7(1366)處理器內,接著Ibex Peak芯片組把整個北橋移到Lynn Field處理器,跨入了單芯片系統。為什么起步晚的英特爾反超起步早的AMD?這是因為把整個北橋移到CPU內涉及到很多技術,特別是芯片生產工藝以及巨額投資。
不斷發展,不停減芯
誕生于第二次世界大戰時期的第一代電子管電子計算機“埃尼阿克”(ENIAC)是個龐然大物,占地面積達170平方米,重達30噸。第二代晶體管計算機體積明顯減小。從第三代大規模集成電路開始,計算機普及到社會各個領域,隨后進入千家萬戶,華夏文化把計算機形象地稱之為“電腦”。在電腦普及的歷程中,英特爾和微軟留下了歷史功績。8086、286、386還是多芯片時代,ISA(Industrial Standard Architecture,工業標準結構)或EISA(Extended Industy Standard Architecture,擴展工業標準結構)總線管理著整個系統。在586多媒體時代,1997年2月英特爾發布430TX芯片組,主板上的芯片組開始了雙芯片時代。
多芯片主板
雙芯片主板的芯片組稱為北橋和南橋。北橋負責CPU、內存、PCI等高速器件,南橋負責低速的ISA總線的設備,并整合了軟驅和IDE控制器。奔騰2時代,AGP總線出現,主板的高速區和低速區界線更加明顯,以AGP插槽為界,左側是南橋負責的低速區,右側是北橋負責的高速區。雙芯片系統從1997年開始延續了12年,其間盡管也有單芯片系統,如SIS、ALI等將北橋和南橋芯片整合在一起,但到了2009年8月,英特爾的Lynn field處理器和Ibex Peak芯片組曝光,主要得益于CPU高度集成的功勞,這才意味著真正邁進單芯片系統。
“單”與“雙”的對比
雙芯片系統是CPU+北橋+南橋,單芯片系統是CPU+南橋,北橋從單獨的芯片被整合到CPU內。從系統對比和結構對比可以看到,單芯片系統就意味著主板上只有一片芯片組,原來北橋芯片組內的控制器件分別被移到CPU和PCH芯片內。CPU和PCH通過DMI總線相互連接。請注意,只是位置的移動,原來的功能和性能沒有削弱或取消,甚至會增強。比如高速QPI總線,它是芯片之間的互連總線,由于圖形控制器在X58芯片內,處理器和X58之間通過QPI總線互連。Lynn Field處理器整合了圖形控制器,QPI總線自然配置在處理器內。
單芯片優勢可觀
單芯片系統是十幾年集成電路技術進步的結果,芯片互連串行總線(AMD的HT,英特爾的QPI)為單芯片系統提供了邏輯基礎。45nm/32nm工藝讓同樣面積的硅片可以集成更多的晶體管。高電介質(HIGH-K)技術解決了MOSFET漏電流較大的難題。這兩種技術使得處理器整合圖形控制器和內存控制器成為了現實,那么單芯片給我們帶來哪些益處?
主板設計的“革命”
1. 節省主板空間
主板上拿掉北橋,相對X58主板來說,節省了4cm×4cm的面積,CPU插座向板中心移動,增加了CPU供電部分的空間。MOSFET、電感、電容不在擁擠,布線寬松。既有利于MOSFET散熱,有有利于降低分布電容。供電電路可以提供更潔凈更穩定的電流。
當然,也有主板廠商利用這些空間來“堆料”。對于單芯片系統,用戶期望的除了它的性能和穩定以外,更期望它的價格有所降低。某些主板把北橋省下的空間用來“堆料”自然會增加成本,使P55主板價格高升,在全球經濟不景氣的環境下,有多少用戶購買這樣的主板?再有Lynnfield Core 系列比Bloomfield Core i7熱功耗降低了35W,CPU供電用料應該低于X58,可是上圖所示的主板居然超過了X58,這種夸張的豪華的用料會使用戶誤解Lynnfield Core 系列CPU又是耗電大戶。
2.降低布線難度
北橋從主板撤掉,圖形控制器與PCI-E ×16的布線直接從CPU插座拉向PCI-E ×16槽,內存控制器與內存槽的布線直接從CPU插座拉向內存槽。布線空間寬松,線跡、線距都可以適當放寬。有利于信號的穩定。
3. 功耗降低,效能提高
人們會懷疑,CPU內整合了處理器、圖形控制器和內存控制器,這樣的CPU功耗一定成倍增加。其實恰恰相反,功耗反而降低了,而且降低的是無用功耗。我們對比一下LGA 1366接口的Core i7和1156的Core i7熱功耗就可以清楚了。從英特爾的熱設計功耗可以看到,整合了圖形控制器和內存控制器的Lynnfield處理器熱功耗反而降低了35W。
為什么功耗會降低呢?這就是高電介質(High-K)技術的功勞。處理器內集成的晶體管都是金屬氧化物半導體(MOS)晶體管。這種晶體管有源、漏、柵三個電極,柵極是控制極。柵極與源極和漏極之間有一層絕緣層,并存在分布電容。柵極與源漏極的溝道存在泄漏電流,這是MOS晶體管的難題。特別是集成度越高,MOS晶體管尺寸越小,漏電流問題越嚴重。CPU的高發熱量主要是泄漏電流引起,這些泄漏電流是浪費的無用功耗。高電介質(High-K)技術就是在柵極與溝道之間加一層介電系數高的電介質,既可以在3.0nm的厚度保持較高的電容量,又可以降低泄漏電流。與High-K相反的是Low-K技術,兩種技術誰優誰劣,一直存在爭論。英特爾在Lynnfield處理器成功地應用了高電介質(HIGH-K)技術,并有新的改進,才使得Lynnfield處理器的熱功耗降低到95W,提高了處理器的效能。
4.頻率更高,速度更快
由于高電介質(High-K)技術增加了柵極與源、漏極之間的電容,Lynnfield處理器工作的頻率和速度都明顯高于Bloomfield處理器。同頻率的CPU,Lynnfield表現出更強的超頻能力。拿到測試版Lynnfield的用戶已經為出色的超頻性能而驚喜。
P55主板的上市,預示著我們正式進入單芯片系統時代,擁有積極重要的意義的是,英特爾發布單芯片系統是計算機發展史的一個重要里程碑,它將使電腦的外部結構更加簡化,體積進一步縮小,效能和穩定性再次提高,電腦應用將更為簡單化。同時,單芯片系統的出現,在IT產業方面,也意味主板結構、整機系統結構在不遠的將來都會有新的發展。
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